熱処理　卓上型ランプ加熱装置

半導体製造プロセスは高密度、微細化の進展によりRTP（Rapid Thermal Processing）が重要な加熱技術として注目されています。
MILA-5000は赤外線ゴールドイメージ炉の急速加熱冷却性、温度の精密制御、クリーンな加熱、自在な雰囲気選択など優れた特性を温度制御器とともにコンパクトに一体化し、低価格、小型、高性能をコンセプトとして誕生しました。
これまでの広範な分野はもとより、21世紀のメモリーと期待される強誘電体関係のRTP用研究開発機器としてもご利用下さい。

●用途

強誘電体薄膜の結晶化アニール
イオン注入後の拡散アニール、酸化膜生成アニール
Si、化合物ウェハーのシンタリング、アロイング処理
ガラス基板の均熱アニール
熱サイクル、熱衝撃、熱疲労試験
昇温脱離試験、触媒効果試験

●特長

50℃／Sの急速加熱が行えます。
試料は透明石英保護管内で加熱しますので真空中、ガス中、ガスフロー中、大気中と任意の選択ができます。
試料温度とプログラム温度が同時に表示されますので精密な温度制御ができます。RoHS指令に準拠した環境対応の機器です。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　※USBポート接続により、加熱中の温度データをパソコン上に表示することが可能。

●仕様　※最高到達温度と常用最高温度は加熱試料の赤外線特性により変動します。

タ　　イ　　プ	高温型	均熱型
プログラム操作型	MILA5000-P-N	MILA5000-P-F
温　度　範　囲	室温～ 1200 ℃（MAX ）	室温～ 800 ℃（MAX ）
試　料　サイズ	20mm x 20mm x 2．0mmt（MAX）	20mm x 20mm x 2．0mmt（MAX）
温度センサー	K 熱電対	K 熱電対
電　源　容　量	AC200V4kVA	AC200V1kVA
外形寸法	360W×179H×355D （突起物は除く）	360W×179H×355D （突起物は除く）

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